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- 名称：TBHPF1高通滤波器150K-3G
- 厂商：Tekbox
型号：TBHPF1
描述：TBHPF1 高通滤波器150K-3G,无论何时使用频谱分析仪，请注意过度的输入功率、瞬变电压或ESD会破坏RF前端。频谱分析仪通常具有+20dBm至+30dBm范围内的最大CW输入额定值
TBHPF1 高通滤波器150K-3G
TBHPF1 高通滤波器150K-3G
频谱分析射频前端限制：
无论何时使用频谱分析仪，请注意过度的输入功率、瞬变电压或ESD会破坏RF前端。频谱分析仪通常具有+20dBm至+30dBm范围内的最大CW输入额定值。与示波器不同，频谱分析仪的输入不受保护或仅受到较小保护。简化的射频前端如下所示：
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输入端的二极管通常用作ESD保护二极管。为了用限幅器充分保护输入，分流二极管需要与串联电阻器结合，在输入信号过大的情况下限制正向电流。因此，无法实现经典的限流电阻器解决方案，因为它会增加分析仪的输入阻抗。
限幅器可以通过将其与衰减器结合来实现，但这会降低分析仪的灵敏度并限制其使用。
输入链的第一个薄弱环节是RF开关。典型的EMI频谱分析仪使用集成的GaAs开关。GaAs开关在低频下固有地很弱。许多GaAs开关甚至没有规定低频（低至9kHz）下的最大输入功率。
LISN射频输出处的残余50 Hz电压：
下图显示了AC LISN的基本电路图：
LISN的DUT端子上存在全交流电源电压。RF耦合电容器和1K电阻器形成分压器，分压器确定RF连接器处50Hz电压的幅度。
考虑0.1μF电容器，其在50 Hz时的阻抗为32K。与1K电阻器一起，在没有任何负载的情况下，LISN的RF端子处产生的50Hz电压约为6.6V。假设50欧姆负载与1K电阻器并联，剩余50 Hz电压将变得可忽略不计。
一些LISN可能需要使用更高的值，以满足较低频率下的阻抗规范。假设电容器为0.5μF，LISN射频端的残余50Hz电压将高达31V。如果存在与1K电阻器并联的50欧姆负载，则这仍然会降低到可忽略的值。
然而，低成本分析仪不太可能在50Hz时具有50欧姆的输入阻抗。通常，对于低于9kHz的频率，不指定输入阻抗。此外，如前所述，低成本分析仪在RF输入端使用GaAs开关，这在低频率下是固有的。
因此，在频谱分析仪或测量接收器的RF输入处放置9 kHz高通滤波器或150 kHz高通滤波器将提供对50 Hz残余电压的良好保护。由于其在通带中的插入损耗非常低，因此不会减小测量的动态范围。
TBHPF1 高通滤波器150K-3G
技术指标：
-
50欧姆反射式高通滤波器
-
3dB带宽：150KHz – 3GHz
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最大输入电压：100V , 250V@持续时间＜5s
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频率小于150KHz和开路输出时最大允许输入电流：650 mA
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最大输入功率：10W @ 300KHz – 3GHz
-
接口：N型
-
尺寸：26×26×82 mm
-
重量：约100 g
50欧姆衰减表
|
频率 [Hz] |
衰减 [dB] |
频率 [Hz] |
衰减 [dB] |
|
30 |
-100.48 |
13000 |
-38.18 |
|
40 |
-99.76 |
14000 |
-36.91 |
|
50 |
-99.58 |
15000 |
-35.72 |
|
100 |
-92.72 |
20000 |
-30.78 |
|
250 |
-97.32 |
25000 |
-26.98 |
|
500 |
-89.77 |
50000 |
-15.47 |
|
750 |
-85.71 |
100000 |
-5.84 |
|
1000 |
-81.59 |
250000 |
-0.80 |
|
2500 |
-66.11 |
500000 |
-0.21 |
|
5000 |
-54.48 |
1000000 |
-0.07 |
|
6000 |
-51.41 |
10000000 |
-0.05 |
|
7000 |
-48.77 |
30000000 |
-0.06 |
|
8000 |
-46.52 |
100000000 |
-0.17 |
|
9000 |
-44.50 |
250000000 |
-0.26 |
|
10000 |
-42.69 |
500000000 |
-0.32 |
|
11000 |
-41.05 |
750000000 |
-0.20 |
|
12000 |
-39.56 |
1000000000 |
-0.21 |
TBHPF1-9KHz, 30Hz-1GHz衰减典型数据
3．应用
-
通用滤波器
-
频谱分析仪/测量接收机输入保护
