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- 名称：M2低频磁场屏蔽材料5Hz-100KHz
- 厂商：YS
型号：M3
描述：M2低频磁场屏蔽材料5Hz-100KHz是深圳国测电子公司生产的新型磁场屏蔽膜，由非晶钴合金制成，用于屏蔽低频交流磁场，也可以屏蔽低频电场（LF） M2是一种双层超薄磁场屏蔽箔，用于屏蔽低频磁场。具有高耐磨性的双面覆膜，适用于汽车电子、航空航天、电子电气等行业，也可低成本用于屋顶或地板结构的中间层。对于简单屏蔽，单层就足够了；对于高磁通密度，可以使用许多层。100米的卷筒长度对于大型表面的高效铺设尤为有利。
概述
M2是深圳国测电子公司生产的新型磁场屏蔽膜，由非晶钴合金制成，用于屏蔽低频交流磁场，也可以屏蔽低频电场（LF）和高频电场（HF）。
M2是一种双层超薄磁场屏蔽箔，用于屏蔽低频磁场。具有高耐磨性的双面覆膜，适用于汽车电子、航空航天、电子电气等行业，也可低成本用于屋顶或地板结构的中间层。对于简单屏蔽，单层就足够了；对于高磁通密度，可以使用许多层。100米的卷筒长度对于大型表面的高效铺设尤为有利。
施工处理
施工铺设：铺设时保留大于3cm重叠，一定要考虑没有缝隙. 屏蔽膜的边缘非常锋利，需要注意安全.
表面粘合：粘性非常好的粘合剂固定、砌墙施工、螺栓固定、钉定固定等，需要接地。
规格参数
u 名 称：磁场屏蔽膜
u 型 号：M2
u 频率范围：低频磁场：10Hz-100KHz
u 屏蔽衰减：10-22dB @ 磁场
u 宽 度：23 cm@总产品，21cm@屏蔽层
u 长 度：用户要求（100m/卷）
u 磁场屏蔽：12.1dB@单层；16.3dB@双层；19.5dB@三层
21.7dB@四层
u 磁场（静态）：DC直流、地磁场、磁场腔体@需要很多层
u 最小弯曲半径：10mm
* 厚度： 0.12mm
u 接 地：是
u 材 料：出于创新的原因，不公布成分和磁性关键数
字。该高科技材料具有高初始磁导率和高饱和感应率，从5hz到100khz。
